光刻技術(shù)是首次推動(dòng)集成電路芯片制程工藝持續微縮的核心驅動(dòng)力之一。近日，國芯北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團隊及合作者通過(guò)冷凍電子斷層掃描技術(shù)，片領(lǐng)首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的得新微觀(guān)三維結構、界面分布與纏結行為，突破指導開(kāi)發(fā)出可顯著(zhù)減少光刻缺陷的首次產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)論文近日刊發(fā)于《自然·通訊》。國芯

　　“顯影”是片領(lǐng)光刻的核心步驟之一，通過(guò)顯影液溶解光刻膠的得新曝光區域，將電路圖案精確轉移到硅片上。突破光刻膠如同刻畫(huà)電路的首次顏料，它在顯影液中的國芯運動(dòng)，直接決定電路畫(huà)得準不準、片領(lǐng)好不好，得新進(jìn)而影響芯片良率。突破長(cháng)期以來(lái)，光刻膠在顯影液中的微觀(guān)行為是“黑匣子”，工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復試錯，這成為制約7納米及以下先進(jìn)制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一。

　　為破解難題，研究團隊首次將冷凍電子斷層掃描技術(shù)引入半導體領(lǐng)域。研究人員最終合成出一張分辨率優(yōu)于5納米的微觀(guān)三維“全景照片”，一舉克服了傳統技術(shù)無(wú)法原位、三維、高分辨率觀(guān)測的三大痛點(diǎn)。

　　彭海琳表示，冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析各類(lèi)液相界面反應提供了強大工具。深入掌握液體中聚合物的結構與微觀(guān)行為，可推動(dòng)先進(jìn)制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制與良率提升。

　　來(lái)源：科技日報

　　作者: 張蓋倫

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