全球晶圓代工兩大巨頭近日陷入一場(chǎng)“竊密”風(fēng)波。員工引發(fā)已泄

　　11月27日早間，跳槽臺積特英特爾方面在給第一財經(jīng)的激烈一份聲明中，對此前臺積電訴訟進(jìn)行了回應。對峙電“公司有嚴格的密英公司政策與管控措施，嚴禁使用或轉移任何第三方的回擊保密信息或知識產(chǎn)權。我們高度重視并切實(shí)履行這些承諾。員工引發(fā)已泄”英特爾稱(chēng)。跳槽臺積特

　　兩天前，激烈臺積電正式向法院提起訴訟，對峙電指控前資深副總經(jīng)理羅唯仁違反保密協(xié)議與競業(yè)禁止義務(wù)，密英涉嫌將2nm等先進(jìn)制程機密泄露給英特爾?；負?/p>

　　臺積電在訴訟聲明中披露，員工引發(fā)已泄羅唯仁于2025年7月27日從公司退休，跳槽臺積特在臺積電工作期間主導EUV光刻技術(shù)導入。激烈據法務(wù)部門(mén)調查，2024年3月羅唯仁離開(kāi)管理研發(fā)的企業(yè)策略發(fā)展部后，仍多次要求研發(fā)團隊提供先進(jìn)制程資料，而在今年7月離職面談時(shí)，他明確告知將入職學(xué)術(shù)機構，卻在10月底以執行副總裁身份出現在英特爾員工名單中。

　　“這些營(yíng)業(yè)秘密可能已被轉移至英特爾，其行為同時(shí)違反競業(yè)禁止協(xié)議?！迸_積電稱(chēng)。

　　面對指控，英特爾方面連續兩日作出回應。26日，英特爾CEO陳立武在一場(chǎng)半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )頒獎典禮上反駁稱(chēng)相關(guān)指控是“毫無(wú)根據的謠言”，強調英特爾“有嚴格政策禁止使用第三方知識產(chǎn)權”。隨后，英特爾發(fā)言人進(jìn)一步指出，該公司18A制程采用RibbonFET晶體管與背面供電技術(shù)，與臺積電2nm工藝路線(xiàn)存在本質(zhì)差異，“無(wú)需借助外部技術(shù)數據”。

　　在業(yè)內看來(lái)，英特爾的制程技術(shù)與臺積電存在多項本質(zhì)差異。此外，英特爾是高數值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）技術(shù)的早期采用者，而臺積電目前尚未布局該技術(shù)。

　　不過(guò)，作為臺積電在晶圓代工領(lǐng)域的老對手，當前正值英特爾業(yè)務(wù)發(fā)展的戰略關(guān)鍵期。

　　在不久前舉行的2025英特爾技術(shù)創(chuàng )新與產(chǎn)業(yè)生態(tài)大會(huì )中，英特爾宣布，Intel 18A工藝已在美國亞利桑那州工廠(chǎng)啟動(dòng)大規模量產(chǎn)，采用RibbonFET（全環(huán)繞柵極）晶體管與PowerVia（背面供電）技術(shù)，晶體管密度較上一代提升30%，相同能耗下性能提升15%。

　　這一技術(shù)被外界視為這家美國芯片巨頭打破臺積電技術(shù)壟斷的核心抓手。

　　Counterpoint數據顯示，2025年第二季度全球純晶圓代工行業(yè)營(yíng)收同比增長(cháng)33%，核心驅動(dòng)力就是先進(jìn)工藝在A(yíng)I GPU領(lǐng)域的應用。若英特爾無(wú)法在未來(lái)1-2年內將18A制程良率提升至商業(yè)化水平，技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢將被臺積電、三星的成熟產(chǎn)能吞噬，徹底失去高端代工市場(chǎng)的入場(chǎng)資格。這也是英特爾招攬羅唯仁的核心原因，希望借助他的行業(yè)經(jīng)驗加速技術(shù)落地，本質(zhì)是與時(shí)間賽跑。

　　根據公開(kāi)資料，現年75歲的羅唯仁擁有美國加州大學(xué)伯克利分校固態(tài)物理與表面化學(xué)博士學(xué)位，曾在英特爾擔任先進(jìn)技術(shù)制造廠(chǎng)CTM廠(chǎng)長(cháng)，2004年7月加入臺積電，最初擔任營(yíng)運組織副總經(jīng)理，2006年至2009年出任研發(fā)副總經(jīng)理，后升任先進(jìn)技術(shù)事業(yè)及營(yíng)運組織制造技術(shù)副總經(jīng)理。2025年7月27日正式退休，較公司限定67歲退休年齡延退8年，也是臺積電歷任副總級退休年紀最高者。